Samsung ilk 100+ katmanlı V-NAND Bellek Modülünü Duyurdu!

Hızlı depolama çözümleri, verimli dijital fotoğraf ve video iş akışları için şarttır ve Samsung Technology, 100’den fazla katmana sahip yeni V-NAND modüllerinin üretilmeye başladığını duyurdu. Güney Koreli şirkete göre, 256GB 3-bit V-NAND, PC’ler için SSD sürücüleri yapmak için kullanılacak ve çok sayıda küresel OEM’e teslim edildi.

Yeni nesil, önceki 9 katmanlı tek yığınlı yapıya yaklaşık yüzde 40 daha fazla hücre ekliyor. Samsung bunu, 136 katmanlı elektriksel olarak iletken bir kalıp yığını oluşturarak başarır. Şirket, bunun, sektörün en hızlı veri aktarım hızında, 450 mikrosaniyelik (reading) yazma hızını ve 45㎲’lik okuma yanıt süresini gösterdiğini iddia ediyor. Önceki tasarımla karşılaştırıldığında performans yüzde 10, enerji tüketimi ise yüzde 15 azaldı.

Samsung, yeni ve daha hızlı tasarım sayesinde, yeni istiflerin üçünü birleştirerek, performans veya güvenilirlik üzerinde herhangi bir olumsuz etkiye neden olmadan V-NAND çözümlerini 300’den fazla katmanla sunabileceğini söylüyor.

Performans artışlarına ek olarak, mühendisler üretim adımlarını ve talaş boyutlarını azaltarak üretim oranlarını yüzde 20 oranında artırmayı başardılar.

250 GB SATA PC SSD’nin daha önce piyasaya sürülmesiyle, şirket, büyümekte olan küresel talebi karşılamak ve çeşitli özelliklerde 512Gb 3-bit V-NAND kullanarak SSD’ler ve eUFS’ler üretmek için yılın ikinci yarısında üretimi artırmayı planlıyor. Samsung, gelecekte mobil ve otomobil uygulamaları için yeni çipleri dağıtmayı da umuyor.